[发明专利]有机发光装置有效
申请号: | 201510017737.9 | 申请日: | 2015-01-14 |
公开(公告)号: | CN104795504B | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 金瑟雍;金美更;申东雨;秋昌雄;金泰亨;朴镐喆;白英美;严珉植;李恩姃;李昌俊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司;株式会社斗山 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;何可 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本申请涉及有机发光装置。该有机发光装置包括正极、负极以及在所述正极与所述负极之间的至少一层有机材料层。所述至少一层有机材料层包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层,并且所述发射层包含主体材料和掺杂剂材料。此外,包含双极性化合物的寿命提高层布置在所述发射层与所述电子传输层之间。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 | ||
【主权项】:
1.有机发光装置,其包括:正极;负极;以及在所述正极与所述负极之间的至少一层有机材料层,其中所述至少一层有机材料层包括空穴注入层、空穴传输层、包含主体材料和掺杂剂材料的发射层、电子传输层、电子注入层,以及在所述发射层与所述电子传输层之间的寿命提高层,所述寿命提高层包含含有吸电子基团和供电子基团的双极性化合物,所述双极性化合物具有5.5eV或更大的电离电势、大于3.0eV的最高占据分子轨道能量与最低未占据分子轨道能量之差、2.3eV或更大的三重态能量以及小于0.5eV的单重态能量与三重态能量之差,其中所述双极性化合物是由式1表示的化合物:式1
其中X1选自O、S、Se、N(Ar1)、C(Ar2)(Ar3)和Si(Ar4)(Ar5),Y1至Y4各自独立地为N或C(R1),其中多个R1相同或不同,并且一个或多个R1任选地与邻近的基团结合以形成稠合环;以及X2和X3各自独立地为N或C(R2),其中多个R2相同或不同,并且一个或多个R2任选地与邻近的基团结合以形成稠合环;R1至R2各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、氨基、C1‑C40烷基、C2‑C40烯基、C2‑C40炔基、C3‑C40环烷基、具有3至40个环原子的杂环烷基、C6‑C60芳基、具有5至60个环原子的杂芳基、C1‑C40烷氧基、C6‑C60芳氧基、C1‑C40烷基甲硅烷基、C6‑C60芳基甲硅烷基、C1‑C40烷基硼基、C6‑C60芳基硼基、C1‑C40膦基、C1‑C40氧化膦基和C6‑C60芳基胺基,以及各自独立地被选自氘、卤素、氰基、硝基、氨基、C1‑C40烷基、C2‑C40烯基、C2‑C40炔基、C3‑C40环烷基、具有3至40个环原子的杂环烷基、C6‑C40芳基、具有5至40个环原子的杂芳基、C1‑C40烷氧基、C6‑C60芳氧基、C1‑C40烷基甲硅烷基、C6‑C60芳基甲硅烷基、C1‑C40烷基硼基、C6‑C60芳基硼基、C1‑C40膦基、C1‑C40氧化膦基和C6‑C60芳基胺基中至少之一取代的C1‑C40烷基、C2‑C40烯基、C2‑C40炔基、C3‑C40环烷基、具有3至40个环原子的杂环烷基、C6‑C60芳基、具有5至60个环原子的杂芳基、C1‑C40烷氧基、C6‑C60芳氧基、C1‑C40烷基甲硅烷基、C6‑C60芳基甲硅烷基、C1‑C40烷基硼基、C6‑C60芳基硼基、C1‑C40膦基、C1‑C40氧化膦基和C6‑C60芳基胺基;Ar1至Ar5各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、氨基、C1‑C40烷基、C2‑C40烯基、C2‑C40炔基、C3‑C40环烷基、具有3至40个环原子的杂环烷基、C6‑C60芳基、C1‑C40烷氧基、C6‑C60芳氧基、C1‑C40烷基甲硅烷基、C6‑C60芳基甲硅烷基、C1‑C40烷基硼基、C6‑C60芳基硼基、C1‑C40膦基、C1‑C40氧化膦基和C6‑C60芳基胺基,以及各自独立地被选自氘、卤素、氰基、硝基、氨基、C1‑C40烷基、C2‑C40烯基、C2‑C40炔基、C3‑C40环烷基、具有3至40个环原子的杂环烷基、C6‑C40芳基、C1‑C40烷氧基、C6‑C60芳氧基、C1‑C40烷基甲硅烷基、C6‑C60芳基甲硅烷基、C1‑C40烷基硼基、C6‑C60芳基硼基、C1‑C40膦基、C1‑C40氧化膦基和C6‑C60芳基胺基中至少之一取代的C1‑C40烷基、C2‑C40烯基、C2‑C40炔基、C3‑C40环烷基、具有3至40个环原子的杂环烷基、C6‑C60芳基、C1‑C40烷氧基、C6‑C60芳氧基、C1‑C40烷基甲硅烷基、C6‑C60芳基甲硅烷基、C1‑C40烷基硼基、C6‑C60芳基硼基、C1‑C40膦基、C1‑C40氧化膦基和C6‑C60芳基胺基;或者Ar1至Ar5各自独立地由式C‑1至式C‑15中的任一个表示:
在式C‑1至式C‑15中,L可以是单键或可以选自C6‑C18亚芳基和具有5‑18个环原子的亚杂芳基,R11和R21可以相同或不同,并且可以各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、氨基、C1‑C40烷基、C2‑C40烯基、C2‑C40炔基、C3‑C40环烷基、具有3至40个环原子的杂环烷基、C6‑C60芳基、具有5至60个环原子的杂芳基、C1‑C40烷氧基、C6‑C60芳氧基、C1‑C40烷基甲硅烷基、C6‑C60芳基甲硅烷基、C1‑C40烷基硼基、C6‑C60芳基硼基、C1‑C60膦基、C1‑C60氧化膦基和C6‑C60芳基胺基,并且R11和R21可以各自通过与邻近的基团结合而形成稠合环,以及n为0至4的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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