[发明专利]一种改善电流扩展的半导体器件有效
| 申请号： | 201510012923.3 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104538523B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周玉刚;修向前;谢自力;陈鹏;刘斌;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善电流扩展的半导体器件，其包括衬底以及形成于所述衬底上的电流扩展层和外延层，所述电流扩展层的材质为导电材料，且所述导电材料与形成所述外延层的半导体材料不相同，其电导率比外延层材料高，因而电流扩展的距离也要高。本发明的器件可以做到较大尺寸和功率，并不需要采用额外的用于电流扩展的电极延长或多个电极并联，从而改善电流扩展，提高了器件的均匀性、功率和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 电流 扩展 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种改善电流扩展的半导体器件，其特征在于包括衬底以及形成于所述衬底上的外延缓冲层、形成于所述外延缓冲层上的电流扩展层和二次外延生长形成的分布于所述电流扩展层上的外延层，所述电流扩展层的材质为导电材料，所述导电材料选自金属或非金属材料，所述金属材料选自钨或钨的合金，所述非金属材料选自石墨烯或纳米碳管薄膜，该导电材料的电导率大于所述外延层材料的电导率，所述外延层包括依次形成的第一极性层、有源层和第二极性层，所述第一极性层与第一电极电性接触，所述第二极性层与第二电极电性接触，所述第二电极层局部区域向第一极性层方向形成有直达第一极性层的接触孔，所述接触孔仅有一个且直径大于0而小于30μm，所述第一电极通过所述接触孔与第一极性层焊区金属层电相连，所述第一电极以及第一极性层焊区金属层与所述第二电极以及所述接触孔侧壁之间设有绝缘层，所述半导体器件为LED。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510012923.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种静压转台运动误差建模及计算方法
- 下一篇：阿卡波糖胶囊剂和制法
