[发明专利]制造用于PSTTM应用的晶体磁性膜的方法有效
| 申请号： | 201480081490.0 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106605267B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | K·P·奥布赖恩;B·S·多伊尔;K·奥乌兹;R·S·周;S·苏里 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法，包括在包括与电介质材料的晶格类似的晶格的完全晶体的牺牲膜或衬底上形成包括位于固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层的器件叠置体；以及将器件叠置体从牺牲膜转移到器件衬底。一种装置，包括：器件叠置体，该器件叠置体包括位于器件衬底上的固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中，固定磁性层和自由磁性层各自的晶格与牺牲膜或衬底的晶格一致，其中所述固定磁性层和所述自由磁性层在转移到所述器件衬底之前形成在所述牺牲膜或衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 psttm 应用 晶体 磁性 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在完全晶体的牺牲膜或衬底上形成包括位于固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层的器件叠置体，其中所述完全晶体的牺牲膜或衬底包括与所述电介质材料的晶格类似的晶格；以及将所述器件叠置体从所述牺牲膜转移到器件衬底。
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