[发明专利]制造用于PSTTM应用的晶体磁性膜的方法

权利要求书

1.一种形成器件叠置体的方法，包括：

在完全晶体的牺牲膜或衬底上形成包括位于固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层的器件叠置体，其中所述完全晶体的牺牲膜或衬底包括与所述电介质层的晶格类似的晶格；以及

将所述器件叠置体从所述牺牲膜转移到器件衬底，

其中，形成所述器件叠置体包括在所述完全晶体的牺牲膜或衬底上形成导电材料的电极层以及在所述电极层上形成所述固定磁性层和所述自由磁性层中的一个磁性层，其中，所述电极层的所述导电材料的晶格与所述牺牲膜或衬底的晶格类似，其中，所述电介质层和所述完全晶体的牺牲膜或衬底各自包括氧化镁(MgO)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述器件叠置体包括在所述电极与所述固定磁性层和所述自由磁性层中的所述一个磁性层之间形成合成的反铁磁体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件叠置体包括自旋转移矩存储器叠置体。

4.根据权利要求1或3中任一项所述的方法，其中，所述器件叠置体形成在完全晶体的牺牲膜上，所述完全晶体的牺牲膜在与所述膜的材料不同的材料的衬底上。

5.根据权利要求1或3中任一项所述的方法，其中，所述器件叠置体形成在完全晶体的牺牲衬底上。

6.根据权利要求1或3中任一项所述的方法，其中，所述器件叠置体包括多铁性器件叠置体。

7.一种器件叠置体，所述器件叠置体由权利要求1-6所述的方法中的任一方法形成。

8.一种形成器件叠置体的方法，包括：

在完全晶体的牺牲膜或衬底上形成自旋转移矩存储器叠置体，所述自旋转移矩存储器叠置体包括位于固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中，所述固定磁性层和所述自由磁性层各自的晶格与所述牺牲膜或衬底的晶格一致；以及

将所述存储器叠置体从所述牺牲膜转移到器件衬底，

其中，形成所述存储器叠置体包括在所述完全晶体的牺牲膜或衬底上形成导电材料的电极层以及在所述电极层上形成所述固定磁性层和所述自由磁性层中的一个磁性层，其中，所述电极层的所述导电材料的晶格与所述牺牲膜或衬底的晶格类似，其中，所述电介质层和所述完全晶体的牺牲膜或衬底各自包括氧化镁(MgO)。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述器件叠置体包括在所述电极与所述固定磁性层和所述自由磁性层中的所述一个磁性层之间形成合成的反铁磁体。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述器件叠置体形成在完全晶体的牺牲膜上，所述完全晶体的牺牲膜在与所述膜的材料不同的材料的衬底上。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述器件叠置体形成在完全晶体的牺牲衬底上。

12.一种器件叠置体，所述器件叠置体由权利要求8-11所述的方法中的任一方法形成。

13.一种器件叠置体装置，包括：

器件叠置体，所述器件叠置体包括位于器件衬底上的固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中，所述固定磁性层和所述自由磁性层各自的晶格与牺牲膜或衬底的晶格一致，其中所述固定磁性层和所述自由磁性层在转移到所述器件衬底之前形成在所述牺牲膜或衬底上，其中，所述器件叠置体包括在所述牺牲膜或衬底上形成的导电材料的电极层以及在所述电极层上形成的所述固定磁性层和所述自由磁性层中的一个，其中，所述电极层的所述导电材料的晶格与所述牺牲膜或衬底的晶格类似，其中，所述电介质层和所述牺牲膜或衬底各自包括氧化镁(MgO)。

14.根据权利要求13所述的装置，所述器件叠置体包括自旋转移矩存储器叠置体。

15.根据权利要求13所述的装置，其中，所述固定磁性层和所述自由磁性层各自包括CoFeB。