[发明专利]半导体器件中的钨合金有效
| 申请号： | 201480080028.9 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106463368B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | Y·曹;A·S·乔杜里;J·格吕内斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了包括钴、钨、和硼的导电合金以及包括镍、钨、和硼的导电合金。这些合金可以例如用于形成金属互连件，可以用作为用于传统的铜或铜合金互连件的衬垫层，并且可以用作覆盖层。钴‑钨合金和镍‑钨合金可以使用无电镀工艺来沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 合金 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；位于所述衬底上的电介质材料层，其中，所述电介质材料具有形成在其中的凹陷部；以及导电合金材料，其中，所述导电合金材料填充所述凹陷部，并且其中，所述导电合金材料由55到75原子百分比的钴、20到40原子百分比的钨、以及1到5原子百分比的硼构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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