[发明专利]用于高电压场效应晶体管的扩展漏极结构有效
| 申请号： | 201480079000.3 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN106463532B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | N·尼迪;C-H·简;W·哈菲兹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种具有扩展漏极结构的平面场效应晶体管和非平面场效应晶体管以及制造这种结构的技术。在实施例中，场板电极设置在扩展漏极上方，其中场板电介质设置在其间。场板设置成比晶体管栅极更远离晶体管漏极。在其它实施例中，扩展漏极晶体管具有源极和漏极接触部金属，它们之间的间距为场板与源极和/或漏极接触部金属的间距的大约两倍。在其它实施例中，与栅极电介质不同的隔离电介质设置在扩展漏极与场板之间。在其它实施例中，场板可以直接耦合到晶体管栅极电极或虚设栅极电极中的一个或多个而不需要上部层级互连。在实施例中，深阱注入物可以设置在轻掺杂的扩展漏极与衬底之间，以减小漏极‑本体结电容并提高晶体管性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电压 场效应 晶体管 扩展 结构 | ||
【主权项】：
一种扩展漏极场效应晶体管(FET)，包括：栅极电极，所述栅极电极设置在半导体本体的沟道区上方，其中，栅极电介质设置在所述栅极电极与所述沟道区之间；源极接触部金属，所述源极接触部金属与所述半导体本体的源极区耦合，所述源极区设置在所述沟道区的第一侧上；漏极接触部金属，所述漏极接触部金属与所述半导体本体的漏极区耦合，所述漏极区设置在所述沟道区的第二侧上；场板电极，所述场板电极设置在所述半导体本体中的扩展漏极区上方，所述扩展漏极区位于所述沟道区与所述漏极区之间；以及场板电介质，所述场板电介质设置在所述场板电极与所述扩展漏极区之间，并且被设置成比到所述漏极接触部金属更靠近所述栅极电极。
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