[发明专利]X射线探测器、使用该X射线探测器的X射线成像设备及其驱动方法有效
申请号: | 201480074624.6 | 申请日: | 2014-12-04 |
公开(公告)号: | CN105940502B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 李东镇;金泰佑;任星一;全杓珍 | 申请(专利权)人: | 射线科学有限公司;以友技术有限公司;延世大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 吕晓章,叶齐峰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的是有效改善直接转换探测器的图像滞后现象。本发明提供了一种X射线探测器,包括下电极,其形成在衬底上,被施加第一驱动电压V1;辅助电极,在所述下电极的周围,被施加第三驱动电压V3;光导层,其形成在所述下电极和所述辅助电极上;以及上电极,其形成在所述光导层上,被施加第二驱动电压V2,其中,正好在X射线发射关闭后,所述第三驱动电压V3是反向偏置电压。 | ||
搜索关键词: | 射线 探测器 使用 成像 设备 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】:
一种X射线探测器,包括:下电极,在衬底上形成并被施加第一驱动电压V1;辅助电极,在下电极的周围形成并被施加第三驱动电压V3;光导层,在下电极和辅助电极上形成;以及上电极,在光导层上形成并被施加第二驱动电压V2,其中,第三驱动电压V3正好在关闭X射线发射后是反向偏置电压;其中光导层被布置在下电极和上电极之间,并且被配置为接收X射线并产生电荷,下电极被配置为收集由光导层产生的电荷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于射线科学有限公司;以友技术有限公司;延世大学校产学协力团,未经射线科学有限公司;以友技术有限公司;延世大学校产学协力团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480074624.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子系统和用于制造电子系统的方法
- 下一篇:使用宽离子场穿孔二维材料
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的