[发明专利]光电转换装置在审
| 申请号： | 201480074515.4 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN105940499A | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 奈须野善之;西村和仁;伊坂隆行;本多真也 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李罡;陆锦华 |
| 地址： | 日本大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种使半导体基板与电极之间的串联电阻减小并且转换效率好的光电转换装置。一种光电转换装置，具有半导体基板、形成于半导体基板的第1导电类型区域以及与第1导电类型区域电连接的电极，第1导电类型区域具有与电极相对的电极区域，所述光电转换装置的特征在于，在与电极区域相对的半导体基板中具有晶体缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，其特征在于，具有：半导体基板；第1导电类型区域，形成于所述半导体基板；以及电极，与所述第1导电类型区域电连接，所述第1导电类型区域具有与电极相对的电极区域，在所述电极区域中具有晶体缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
