[发明专利]用于在双镶嵌结构中蚀刻电介质阻挡层的方法有效
申请号: | 201480073342.4 | 申请日: | 2014-12-18 |
公开(公告)号: | CN105917440B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 任河;C-L·高;S·S·康;J·T·彭德;S·D·耐马尼;M·B·奈克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了用于消除双镶嵌结构中的传导层的早期暴露且用于蚀刻双镶嵌结构中的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中,用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括下列步骤:将硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化基板,所述基板具有设置在电介质阻挡层上的电介质块状绝缘层,所述硬掩模层设置在电介质块状绝缘层上;在去除未由所述硬掩模层覆盖的所述电介质块状绝缘层之后,暴露电介质阻挡层的部分;从所述基板中去除所述硬掩模层;以及后续蚀刻由所述电介质块状绝缘层暴露的电介质阻挡层。 | ||
搜索关键词: | 用于 镶嵌 结构 蚀刻 电介质 阻挡 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于蚀刻电介质阻挡层的方法,所述电介质阻挡层设置在基板上,所述方法包含下列步骤:将硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化基板,所述基板具有设置在电介质阻挡层上的电介质块状绝缘层,所述硬掩模层设置在所述电介质块状绝缘层上;在去除未由所述硬掩模层覆盖的所述电介质块状绝缘层之后,暴露所述电介质阻挡层的部分;从所述基板去除所述硬掩模层;以及后续蚀刻由所述电介质块状绝缘层暴露的所述电介质阻挡层,其中后续蚀刻所述电介质阻挡层的步骤进一步包含下列步骤:在所述电介质阻挡层上执行处理工艺,以更改所述电介质阻挡层的表面性质并将所述电介质阻挡层活化成激发态;在供应到蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物中执行远程等离子体工艺,以蚀刻设置在所述基板上的经处理的电介质阻挡层;以及执行等离子体退火工艺以对所述电介质阻挡层退火,从而从所述基板去除所述电介质阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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