[发明专利]用于测定污染硅产品的金属杂质的浓度的方法有效
| 申请号： | 201480072654.3 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105899458A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·H·克雷斯佐夫斯基;卡尔·W·普尔三世;戴尔·弗兰克林·沃克曼 | 申请（专利权）人： | 赫姆洛克半导体公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 胡秋玲;郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了测定污染硅产品的金属杂质的浓度的方法。所述方法包括获得其上具有所述金属杂质的所述硅产品的测试样品。将所述测试样品置于第一容器中。将第一酸溶液添加至容纳有所述测试样品的所述第一容器。使所述测试样品浸没于所述第一酸溶液中以产生包含所述第一酸溶液、所述金属杂质和消化的硅的混合溶液。从所述混合溶液分离未消化的硅。分析所述混合溶液以测定污染所述硅产品的金属杂质的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测定 污染 产品 金属 杂质 浓度 方法 | ||
【主权项】：
一种测定污染硅产品的金属杂顾的浓度的方法，包括：获得其上具有所述金属杂顾的所述硅产品的测试样品；将所述测试样品置于第一容器内；将第一酸溶液添加至容纳有所述测试样品的所述第一容器；使所述测试样品浸没于所述第一酸溶液中以产生包含所述第一酸溶液、所述金属杂顾和消化的硅的混合溶液；从所述混合溶液分离未消化的硅；以及分析所述混合溶液以测定污染所述硅产品的金属杂顾的浓度。
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