[发明专利]显示或照明装置及绝缘膜的形成方法在审
| 申请号： | 201480072069.3 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105874882A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 工藤和生;安田博幸;山村哲也;胜井宏充;宫迫毅明 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/22 | 分类号： | H05B33/22;G03F7/023;H01L51/50;H05B33/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址： | 日本东京港*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种显示或照明装置，其使用薄膜晶体管作为驱动用元件，所述薄膜晶体管含有包含光劣化大的物质的半导体层，并且伴随着这些装置的使用的所述物质的光劣化得到抑制。本发明的显示或照明装置具有：TFT基板；第1电极，设置于TFT基板上且与所述TFT连接；绝缘膜，以使第1电极局部地露出的方式形成于第1电极上，且全光线透射率在波长300nm～400nm下在0％～15％的范围内；以及第2电极，与第1电极相对向而设置；并且所述绝缘膜为由感放射线性材料所形成的绝缘膜，所述感放射线性材料含有(A)聚合物、(B)感光剂及(C)酚醛清漆树脂等树脂，且相对于聚合物(A)100质量份，所述感放射线性材料中的树脂(C)的含量为2质量份～200质量份。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 照明 装置 绝缘 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种显示或照明装置，具有：薄膜晶体管基板，构成薄膜晶体管的半导体层含有氧化物半导体，所述氧化物半导体含有选自In、Ga、Sn、Ti、Nb、Sb及Zn中的一种以上的元素；第1电极，设置于薄膜晶体管基板上，且与所述薄膜晶体管连接；绝缘膜，以使第1电极局部地露出的方式形成于第1电极上，全光线透射率在波长300nm～400nm下在0％～15％的范围内；以及第2电极，与第1电极相对向而设置；并且所述绝缘膜为由感放射线性材料所形成的绝缘膜，所述感放射线性材料含有：(A)下述树脂(C)以外的聚合物，(B)感光剂，及(C)选自酚醛清漆树脂、可溶酚醛树脂及可溶酚醛树脂的缩合物中的至少一种树脂，且相对于聚合物(A)100质量份，所述感放射线性材料中的树脂(C)的含量为2质量份～200质量份。
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