[发明专利]基于鳍状物的半导体器件和方法在审
申请号: | 201480070851.1 | 申请日: | 2014-01-24 |
公开(公告)号: | CN105849876A | 公开(公告)日: | 2016-08-10 |
发明(设计)人: | W·M·哈菲兹;C-H·简 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了半导体器件、集成电路器件以及方法的实施例。在一些实施例中,半导体器件可以包括设置在衬底上的第一鳍状物和第二鳍状物。第一鳍状物可以具有包括设置在第二材料与衬底之间的第一材料、设置在第三材料与第一材料之间的第二材料、设置在第四材料与第二材料之间的第三材料的部分。第一材料和第三材料可以由第一类型的非本征半导体形成,并且第二材料和第四材料可以由不同的第二类型的非本征半导体形成。第二鳍状物可以与第一鳍状物横向分隔开,并且与第一材料、第二材料、第三材料或第四材料中的至少一种材料实质上相接。可以公开和/或要求保护其它实施例。 | ||
搜索关键词: | 基于 鳍状物 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:设置在衬底上的第一鳍状物,所述第一鳍状物包括第一材料、第二材料、第三材料以及第四材料,其中:所述第一材料设置在所述第二材料与所述衬底之间,所述第二材料设置在所述第三材料与所述第一材料之间,所述第三材料设置在所述第四材料与所述第二材料之间,所述第一材料和所述第三材料由第一类型的非本征半导体形成,并且所述第二材料和所述第四材料由第二类型的非本征半导体形成,所述第二类型与所述第一类型不同;以及设置在所述衬底上的第二鳍状物,所述第二鳍状物与所述第一鳍状物横向分隔开,其中,所述第二鳍状物具有与所述第一材料、所述第二材料、所述第三材料或所述第四材料中的至少一种材料实质上相接的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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