[发明专利]用于薄膜太阳能电池的层系统有效
申请号: | 201480070532.0 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN106716646B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | J.帕尔姆;S.波尔纳;T.哈普;T.达利博尔;R.迪特米勒;R.弗马 | 申请(专利权)人: | 蚌埠玻璃工业设计研究院 |
主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;H01L31/0725;H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;刘春元 |
地址: | 233018 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
一种用于薄膜太阳能电池(100)的层系统(1),包括:吸收体层(4),其包含硫属化合物半导体;以及缓冲层(5),其布置在吸收体层(4)上,其中缓冲层(5)具有化学式A |
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搜索关键词: | 用于 薄膜 太阳能电池 系统 | ||
【主权项】:
一种用于薄膜太阳能电池(100)的层系统(1),包括:‑ 吸收体层(4),其包含硫属化合物半导体,‑ 缓冲层(5),其布置在吸收体层(4)上,其中缓冲层(5)具有化学式AxInySz的半导体材料,其中A是钾(K)和/或铯(Cs),其中0.015 ≤ x/(x+y+z) ≤0.25,且0.30 ≤ y/(y+z) ≤ 0.45。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的