[发明专利]用于借助于专用运行方法紧急运行多相电压转换器的电路装置有效

专利信息
申请号: 201480069130.9 申请日: 2014-11-11
公开(公告)号: CN105814782B 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: N.德拉伊塞;M.欣泽尔 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02H7/08;H02H7/122;H02M3/158
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;杜荔南
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明的出发点是一种电路装置,其具有电压转换器(10),所述电压转换器(10)具有输入路径(42)、输出路径(52)并且具有多个相(15),其中每个相(15)都具有至少一个半桥(20)和至少一个保险装置(60),其中半桥(20)的支路各具有一个MOSFET(30)。本发明的核心在于,电路装置识别有故障的MOSFET并且将完好相的MOSFET激励为使得足够大的电流触发与有故障MOSFET串联的保险装置,以便实现电压转换器的紧急运行。本发明还涉及一种用于运行这样的电路装置的方法。
搜索关键词: 电路装置 电压转换器 保险装置 紧急运行 半桥 多相电压转换器 支路 电流触发 输出路径 输入路径 串联 出发点
【主权项】:
1.一种电路装置,具有电压转换器(10),所述电压转换器(10)具有输入路径(42)、输出路径(52)并且具有多个相(15),其中每个相(15)都具有至少一个半桥(20)和至少一个保险装置(60),其中半桥(20)的支路各具有一个MOSFET(30),其特征在于,电路装置在电压转换器(10)的输入路径(42)中具有第一开关(40),和/或在电压转换器(10)的输出路径(52)中具有第二开关(50),并且其中电路装置被配置为:识别相(15)的半桥(20)的支路中的低侧MOSFET(32)的故障或高侧MOSFET(34)的故障,和停止对所有MOSFET(30)的激励,和在低侧MOSFET(32)的故障的情况下断开第二开关(50),或者在高侧MOSFET(34)的故障的情况下断开第一开关(40),和激励所有MOSFET(30)都完好的相(15)的MOSFET(30),使得足够大的电流流入到有故障的相(15)中,以便触发保险装置(60)。
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