[发明专利]用于去除表面上的残余物的清洗调配物有效
| 申请号： | 201480066376.0 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105873691B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 高桥智威;杜冰;W·A·沃伊特恰克;T·多瑞;E·A·克内尔 | 申请（专利权）人： | 富士胶片电子材料美国有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/04 | 分类号： | B08B3/04;C11D7/60 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司11415 | 代理人： | 方志炜 |
| 地址： | 美国罗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种清洗组合物，其含有1)至少一种氧化还原剂；2)至少一种第一螯合剂，该第一螯合剂为聚氨基聚羧酸；3)至少一种第二螯合剂，其不同于第一螯合剂，该第二螯合剂含有至少两个含氮基团；4)至少一种金属腐蚀抑制剂，该金属腐蚀抑制剂为经取代或未经取代的苯并三唑；5)至少一种有机溶剂，其选自水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯、和水溶性醚；6)水；和7)任选地，至少一种pH调节剂，该pH调节剂是无金属离子的碱。本发明也涉及使用上述组合物清洗半导体基板的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 表面上 残余物 清洗 调配 | ||
【主权项】：
一种清洗组合物，其含有：1)至少一种氧化还原剂；2)至少一种第一螯合剂，该第一螯合剂为聚氨基聚羧酸；3)至少一种第二螯合剂，其不同于第一螯合剂，该第二螯合剂含有至少两个含氮基团；4)至少一种金属腐蚀抑制剂，该金属腐蚀抑制剂为经取代或未经取代的苯并三唑；5)至少一种有机溶剂，其选自水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯、和水溶性醚；6)水；和7)任选地，至少一种pH调节剂，该pH调节剂是不含金属离子的碱；其中，所述组合物不含具有化学式WzMXy的金属卤化物，其中W选自氢、碱金属或碱土金属、和无金属离子的氢氧化物碱部分；M是选自Si、Ge、Sn、Pt、P、B、Au、Ir、Os、Cr、Ti、Zr、Rh、Ru和Sb的金属；y为4至6；且z为1、2或3。
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