[发明专利]改进型双沟槽结构在审
| 申请号： | 201480065875.8 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN105793993A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 马克西姆·法德尔;格里特·舍尔 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制造双沟槽结构的方法。该方法包括提供晶圆，所述晶圆包括半导体层，所述半导体层包括顶面。该方法包括提供电荷补偿沟槽，所述电荷补偿沟槽向所述顶面开口，该顶面形成于单个刻蚀步骤，但是用不同的最终掩蔽氧化物厚度。在所述多个电荷补偿沟槽表面和所述终止沟槽表面上形成具有第一厚度的第一屏蔽氧化层，其中所述第一屏蔽氧化层的所述第一厚度足以允许形成通过所述多个电荷补偿沟槽的中心的空隙。沉积多晶硅，以在电荷补偿沟槽中形成电极。在终止沟槽中执行分离的多晶硅蚀刻和清洗蚀刻以暴露第一屏蔽氧化层。在终止沟槽中的第一屏蔽氧化层上方沉积第二屏蔽氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 改进型 沟槽 结构 | ||
【主权项】：
一种用于制造双沟槽结构的方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括半导体层，所述半导体层包括顶面；提供多个电荷补偿沟槽，所述电荷补偿沟槽向所述顶面开口并且形成于所述半导体层内沟槽，其中所述多个电荷补偿沟槽包括多个电荷补偿沟槽表面；提供终止沟槽，所述终止沟槽向所述顶面开口并且形成于所述半导体层内沟槽，其中所述终止沟槽包括多个终止沟槽表面；在所述多个电荷补偿沟槽表面和所述终止沟槽表面上形成具有第一预定厚度的第一屏蔽氧化层，其中所述第一屏蔽氧化层的所述第一预定厚度足以允许形成通过所述多个电荷补偿沟槽的中心的空隙。
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