[发明专利]高分子电解质膜有效
申请号: | 201480065033.2 | 申请日: | 2014-12-01 |
公开(公告)号: | CN105794031B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 井上祐一;宫崎久远;田中轨人;菊池健太朗;浦冈伸树;茶圆伸一;小西智久;伊野忠 | 申请(专利权)人: | 旭化成株式会社;大金工业株式会社 |
主分类号: | H01M8/1067 | 分类号: | H01M8/1067;C08F214/18;C08F216/14;C08J9/28;H01B1/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;孟伟青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种高分子电解质膜,其具有优异的强度,尺寸变化小,膜电阻小。一种高分子电解质膜,其为包含多孔质膜和高分子电解质的高分子电解质膜,其特征在于,上述多孔质膜的原纤维/结节的面积比为90/10~75/25。 | ||
搜索关键词: | 高分子 电解 质膜 | ||
【主权项】:
1.一种高分子电解质膜,其为包含多孔质膜和高分子电解质的高分子电解质膜,其特征在于,所述多孔质膜的原纤维/结节的面积比为90/10~75/25;所述多孔质膜为聚四氟乙烯的多孔质膜,该多孔质膜的膜密度为0.80g/cm3以下,所述高分子电解质为氟系高分子电解质,所述氟系高分子电解质为含有来自下述通式(I)所表示的含COOZ基或SO3Z基的单体的重复单元和来自四氟乙烯的重复单元的共聚物,CF2=CF(CF2)k‑O1‑(CF2CFY1‑O)n‑(CFY2)m‑A1 (I)式中,Y1表示F、Cl或全氟烷基,k表示0~2的整数,1表示0或1,n表示0~8的整数,n个Y1可以相同也可以不同;Y2表示F或Cl;m表示0~12的整数;其中,在m=0的情况下,1=0、n=0;m个Y2可以相同也可以不同;A1表示COOZ或SO3Z,Z表示碱金属、碱土金属、氢或NR1R2R3R4,R1、R2、R3和R4各自独立地表示碳原子数为1~3的烷基或氢。
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