[发明专利]控制离子束的装置与方法以及离子植入机有效

专利信息
申请号: 201480064880.7 申请日: 2014-10-15
公开(公告)号: CN105793954B 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 肯尼士·H·波什;克里斯多夫·坎贝尔;法兰克·辛克莱;罗伯特·C·林德柏格;约瑟·C·欧尔森 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 杨文娟,臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种控制离子束的装置与方法以及离子植入机。用来控制离子束的装置包括扫描器,经配置于第一状态以扫描离子束,其中扫描器输出作为发散离子束的离子束;准直器,经配置以沿着准直器的一侧接收发散离子束及输出作为准直离子束的发散离子束;束调整构件,延伸接近准直器的所述侧;以及控制器,在扫描器处于第一状态时经配置以传送第一信号到束调整构件,以将发散离子束的离子轨迹从第一组轨迹调整成第二组轨迹。本发明的优点是所述离子植入机可在两种不同模式下操作点束模式与带状束模式。
搜索关键词: 控制 离子束 装置
【主权项】:
一种控制离子束的装置,包括:扫描器,经配置于第一状态接收点束且输出具有第一发散角度的发散离子束,且经配置于第二状态传送具有第二发散角度的带状束且未扫描所述带状束;准直器,经配置以沿着所述准直器的一侧接收所述发散离子束及输出作为准直离子束的所述发散离子束;束调整构件,延伸接近所述准直器的所述侧;以及控制器,在所述扫描器处于所述第一状态时经配置以传送第一信号到所述束调整构件,以将所述发散离子束的离子轨迹从第一组轨迹调整成第二组轨迹,所述第二组轨迹定义第三发散角度,所述第三发散角度比所述第一发散角度接近所述第二发散角度,且在所述扫描器处于所述第二状态时所述控制器还经配置以调整在所述带状束中的束均匀度。
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