[发明专利]超晶格材料和应用在审
申请号: | 201480063908.5 | 申请日: | 2014-09-23 |
公开(公告)号: | CN105874613A | 公开(公告)日: | 2016-08-17 |
发明(设计)人: | C·J·R·P·奥古斯托 | 申请(专利权)人: | 量子半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/04;H01L29/15 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘辛;李炳爱 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 包括第IV族元素的超晶格晶胞重复多次以便形成超晶格。各超晶格晶胞具有彼此平行的多个有序原子平面。超晶格晶胞中的至少两个原子平面具有不同的化学组成。超晶格晶胞中的一个或更多个原子平面的一种或更多种组分选自碳、锡和铅。这些超晶格产生多种应用,包括但不限于晶体管、光传感器和光源。 | ||
搜索关键词: | 晶格 材料 应用 | ||
【主权项】:
超晶格体系,其包含:重复多次以便形成超晶格的超晶格晶胞,各超晶格晶胞具有彼此平行的多个有序原子平面,所述超晶格晶胞中的至少两个所述原子平面具有不同的化学组成,并且所述超晶格晶胞中的一个或更多个所述原子平面包括碳。
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