[发明专利]使用可流动电介质材料的沟槽隔离的技术有效
| 申请号： | 201480063862.7 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105765728B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | R·雅韦里;J·L·卢斯;S-W·朴;D·G·汉肯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于使用可流动电介质材料来提供半导电鳍的沟槽隔离的技术。根据一些实施例，例如，可以使用可流动化学气相沉积(FCVD)工艺来将可流动电介质沉积在鳍图案化的半导电衬底上方。根据一些实施例，可流动电介质可以流进邻近鳍之间的沟槽中，在沟槽中可以对可流动电介质进行原位固化，从而在衬底上方形成电介质层。通过固化，如对于给定目标应用或最终用途所期望的，可以将可流动电介质转变为例如氧化物、氮化物、和/或碳化物。在一些实施例中，所得到的电介质层可以是基本上无缺陷的，不呈现出缝隙/空隙或者呈现出降低数量的缝隙/空隙。在固化之后，所得到的电介质层可以经受例如湿化学处理、热处理和/或等离子体处理，以修改其电介质属性、密度和/或蚀刻速率的至少其中之一。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 流动 电介质 材料 沟槽 隔离 技术 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：半导电衬底，所述半导电衬底具有从所述半导电衬底的上表面延伸的第一半导电鳍和第二半导电鳍以及形成在所述第一半导电鳍与所述第二半导电鳍之间的沟槽，其中，所述沟槽具有小于或等于大约30nm的宽度；以及电介质层，所述电介质层形成在所述半导电衬底上方，其中，所述电介质层部分地填充所述沟槽，所述电介质层从所述半导电衬底的所述上表面延伸至低于所述第一半导电鳍和/或所述第二半导电鳍的至少其中之一的有源部分的点。
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