[发明专利]晶体硅太阳能电池上的钝化堆叠件有效
| 申请号： | 201480063181.0 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105745768B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 朱俊杰;周肃;H·豪格;E·斯鲁德马斯泰因;S·E·福斯;王文静;周春兰 | 申请（专利权）人： | 能源技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 吴小瑛 |
| 地址： | 挪威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了用于制造晶体硅太阳能电池(1)器件上的钝化堆叠件的方法，所述方法包括以下步骤提供包括诸如晶体硅晶圆或晶片的晶体硅层(2)的基板；通过至少从晶体硅层(2)的一面的一部分去除氧化物层来清洁晶体硅层(2)的表面(21,23)；在至少部分清洁表面(21,23)上沉积氮氧化硅层(3)；以及在氮氧化硅层(3)的顶部沉积包含氢化的介电材料的覆盖层(5)，其中在100℃至200℃、优选100℃至150℃且甚至更优选100℃至130℃的温度下沉积氮氧化硅层(3)，其中沉积氮氧化硅层(3)的步骤包括以下子步骤在N2环境气氛中使用N2O和SiH4作为前体气体；以及用低于2、优选低于1且甚至更优选约0.5的气体流量比的N2O与SiH4来沉积氮氧化硅。本发明还描述了通过本发明的方法可获得的晶体硅太阳能电池器件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 钝化 堆叠 | ||
【主权项】：
用于在晶体硅太阳能电池器件(1)上制造钝化堆叠件的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供包括晶体硅层(2)的基板；‑通过至少从所述晶体硅层(2)的一面的一部分去除氧化物层来清洁所述晶体硅层(2)的表面(21,23)；‑在至少部分清洁的表面(21,23)上沉积氮氧化硅层(3)；以及‑在所述氮氧化硅层(3)的顶部沉积包含氢化的介电材料的覆盖层(5)，其中在100℃至200℃的温度下沉积氮氧化硅层(3)，特征在于沉积所述氮氧化硅层(3)的步骤包括以下子步骤：‑在N2环境气氛中使用N2O和SiH4作为前体气体；以及‑用低于2的N2O与SiH4的气体流量比来沉积氮氧化硅。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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