[发明专利]光电转换元件、光电转换模块以及太阳光发电系统有效
| 申请号： | 201480058683.4 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN105659389B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 木本贤治;小出直城;稗田健;中村淳一 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 权太白;戚传江 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层(20n)具有第1导电类型。第2半导体层(20p)具有与第1导电类型相反的第2导电类型。第1电极(22n)形成于第1半导体层(20n)上。第2电极(22p)形成于第2半导体层(20p)上。第1电极(22n)以及第2电极(22p)中的至少一方的电极包括多个金属晶粒。电极的面内方向上的金属晶粒的平均晶体粒径大于电极的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 模块 以及 太阳光 发电 系统 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换元件，其特征在于，半导体基板；第1导电类型的第1半导体层；与所述第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体层；形成于所述第1半导体层上的第1电极；以及形成于所述第2半导体层上的第2电极，所述第1半导体层包括非晶态半导体，所述第1电极包括多个金属晶粒，所述第1电极的面内方向上的所述金属晶粒的平均晶体粒径与所述第1电极的厚度的比大于1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480058683.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
