[发明专利]高纯度氟化烃、其作为等离子体蚀刻用气体的用途以及等离子体蚀刻方法在审
| 申请号： | 201480058513.6 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105683139A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 杉本达也 | 申请（专利权）人： | 日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | C07C19/08 | 分类号： | C07C19/08;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是用式：R-F(式中，R表示异丁基或叔丁基)表示的氟化烃、该氟化烃作为等离子体蚀刻用气体的用途、以及使用所述氟化烃作为等离子体蚀刻用气体对层叠在硅或硅氧化物膜上的无机氮化物膜进行选择性等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法，所述氟化烃的特征在于，纯度为99.9体积％以上，所包含的丁烯类合计为1000体积ppm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 氟化 作为 等离子体 蚀刻 气体 用途 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种氟化烃，用式：R‑F表示，R表示异丁基或叔丁基，其特征在于，纯度为99.9体积％以上，丁烯类合计为1000体积ppm以下。
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