[发明专利]用于发光二极管结构中的内部量子效率的非接触测量的方法及设备

摘要

LED结构的一或多个电响应特性的非接触测量包含：使用一或多个光脉冲照明发光二极管结构的表面的照明区域；使用发光传感器从所述发光二极管结构的所述照明区域内的发光区域测量发光信号的瞬态；在来自所述发光二极管结构的所述发光信号的所述测量瞬态的第一时间确定第一发光强度；在不同于来自所述发光二极管结构的所述发光信号的所述测量瞬态的所述第一时间的第二时间确定第二发光强度；及基于所述第一发光强度及所述第二发光强度从所述发光二极管结构确定所述发光信号的电致发光分量的强度。

主权项

1.一种用于发光二极管结构的一或多个特性的无接触测量的设备，其包括：照明单元，其包含用于使用所选择强度幅值的光照明包含发光二极管结构的衬底的照明区域的照明源，所述光包含强度调制光或脉冲光中的至少一者，所述光适合于激发所述照明区域的所述发光二极管结构的至少第一区域内的光致发光；发光测量单元，其包含经配置以从所述照明区域内的所述发光二极管结构的所述第一区域测量发光信号的至少一个光学传感器；结光电压测量单元，其包含接近所述发光二极管结构而定位且经配置以将光从所述照明源传输到所述发光二极管结构的所述第一区域的至少第一透明电极，其中所述第一透明电极经配置以测量与所述照明区域内的所述第一区域对应的所述发光二极管结构的结光电压信号，其中所述第一透明电极的区域小于由所述照明单元照明的所述照明区域；控制器，其通信地耦合到至少所述发光测量单元、所述结光电压测量单元及所述照明单元，所述控制器经配置以：控制来自所述照明源的所述光的一或多个特性；从所述发光测量单元接收所述发光信号的一或多个测量；从所述结光电压测量单元接收所述结光电压信号的一或多个测量；基于所述发光信号的所述所接收的一或多个测量的一或多个特性及所述结光电压信号的所述所接收的一或多个测量的一或多个特性确定所述发光二极管结构的内部量子效率或内部注入效率中的至少一者。