[发明专利]用于运行化学敏感的场效应晶体管的方法有效
申请号: | 201480056571.5 | 申请日: | 2014-10-06 |
公开(公告)号: | CN105612420B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | J.格拉夫;F.赫南德茨吉伦 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周志明;傅永霄 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种用于运行具有栅极接头(2)的化学敏感的场效应晶体管(1)的方法,其中至少在运行所述场效应晶体管(1)期间至少在所述场效应晶体管(1)的一部分内以下述方式产生至少一个电场:至少在所述场效应晶体管(1)的邻接所述栅极接头(2)的区域内所存在的能动的离子积聚在所述场效应晶体管(1)的能预先给定的区域内并且保持在那里。 | ||
搜索关键词: | 用于 运行 化学 敏感 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】:
1.用于运行具有栅极接头(2)的化学敏感的场效应晶体管(1)的方法,其特征在于,至少在运行所述场效应晶体管(1)期间至少在所述场效应晶体管(1)的一部分内以下述方式产生至少一个电场:至少在所述场效应晶体管(1)的邻接所述栅极接头(2)的区域内所存在的能动的离子积聚在所述场效应晶体管(1)的能预先给定的区域内并且保持在那里,并且已经在化学敏感的场效应晶体管(1)发生相应的加热之前就在场效应晶体管(1)的至少一部分内产生所述电场且保持该电场,直至该化学敏感的场效应晶体管(1)在其不运行时被再次冷却至正常温度。
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