[发明专利]用于图案化晶片表征的方法与设备

摘要

本发明揭示用于表征半导体晶片上的多个所关注结构的设备及方法。从度量衡系统的一或多个传感器按多个方位角从特定所关注结构测量多个光谱信号。基于针对所述方位角而获得的所述光谱信号来确定光谱差值。基于分析所述光谱差值来确定及报告所述特定所关注结构的质量指示。

主权项

1.一种表征半导体晶片上的多个所关注结构的方法，所述方法包括：从度量衡系统的一或多个传感器按多个方位角从特定结构的特定位置测量多个光谱信号，其中所述特定结构为由半导体制造工艺形成的光栅结构；确定针对所述方位角而获得的所述光谱信号之间的差值量；如果所述差值量高于预定阈值，则确定且报告所述特定结构不包含缺陷；如果所述差值量等于或低于所述预定阈值或所述差值量等于零，则确定且报告所述特定结构包含缺陷，其中此类缺陷位于所述特定结构的表面下方；且如果确定所述特定结构包含缺陷，则校正所述特定结构和/或校正用于制造后续晶片的制造工艺。