[发明专利]改变多核的栅极长度的系统和方法在审
| 申请号： | 201480048426.2 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105518847A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | M·蔡;S·森古普塔;C·H·甘;P·齐达姆巴兰姆 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法包括形成第一晶体管的第一多晶硅栅极，该第一多晶硅栅极具有第一长度。该第一晶体管位于第一核中。该方法还包括形成第二晶体管的第二多晶硅栅极，该第二多晶硅栅极具有短于该第一长度的第二长度。该第二晶体管位于第二核中。该第一核比第二核更接近于半导体管芯的中央。 | ||
| 搜索关键词： | 改变 多核 栅极 长度 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成第一晶体管的第一多晶硅栅极，所述第一多晶硅栅极具有第一长度，其中所述第一晶体管位于第一核中；以及形成第二晶体管的第二多晶硅栅极，所述第二多晶硅栅极具有比所述第一长度短的第二长度，其中所述第二晶体管位于第二核中，并且其中所述第一核位于相比于所述第二核而言更接近于半导体管芯的中央的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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