[发明专利]用于横向裁剪硬掩模的方法

摘要

本文中的技术包括用于聚合碳氟化合物等离子体中的介电质的可控的横向蚀刻的方法。方法可以包括使用作为硅蚀刻处理的一部分的掩模裁剪步骤的介电叠加蚀刻。对于介电掩模裁剪使用碳氟化合物提供数个优点，例如施加直接以及向工艺流程提供额外的灵活性。由此，本文中的技术提供了修改或调整硬掩模上的CD的方法。通常，该技术可以包括使用氟基和碳氟化合物基、或氟代烃基化学品用于产生等离子体以及控制两种化学品的比例。在没有本文中公开的硬掩模裁剪方法的情况下，如果硬掩模CD不精确，则晶片被废弃。在具有如本文中公开的硅蚀刻中的硬掩模裁剪能力的情况下，可以对给定CD重新定目标以去除晶片废弃物。

主权项

一种用于在基片上蚀刻部件的方法，所述方法包括：将基片布置在等离子体处理系统中的基片保持器上，所述基片具有限定使下面的基片暴露的开口的图案化硬掩模，所述图案化硬掩模具有关键尺寸(CD)大于目标部件的预定特定关键尺寸的部件；使蚀刻工艺气体流入所述等离子体处理系统中，所述蚀刻工艺气体包括含氟气体；使钝化工艺气体流入所述等离子体处理系统中，所述钝化工艺气体包含碳氟化合物；由所述蚀刻工艺气体和所述钝化工艺气体形成等离子体，以使得所述基片暴露于所述等离子体；以及通过控制蚀刻工艺气体与钝化工艺气体的比例，以及通过控制所述等离子体处理系统中的电极偏压，使用所述等离子体的产物来横向蚀刻所述硬掩模的侧壁。