[发明专利]包括相对低的电阻率的芯的互连导线在审
| 申请号： | 201480047060.7 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105493243A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 俞辉在;T·K·因杜库里;R·V·谢比亚姆;J·S·克拉克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种电介质层和形成所述电介质层的方法。在电介质层中限定了开口，并且在所述开口内沉积了导线，其中，所述导线包括被护套材料包围的芯材料，其中，所述护套材料呈现出第一电阻率ρ1，并且所述芯材料呈现出第二电阻率ρ2，并且ρ2小于ρ1。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 相对 电阻率 互连 导线 | ||
【主权项】：
一种在电介质层中形成导线的方法，包括：在电介质层中形成第一开口；在所述电介质层上沉积护套材料的第一层的共形涂层，并且在所述第一开口中形成第二开口，其中，所述护套材料呈现出第一电阻率ρ1；在所述共形涂层上沉积芯材料，其中，所述芯材料呈现出第二电阻率ρ2，并且ρ2小于ρ1；以及对所述芯材料进行回流，其中，所述芯材料部分地填充所述第二开口；在所述芯材料和所述护套材料的所述第一层之上沉积所述护套材料的第二层，从而填充所述第二开口并且形成导线，其中，所述芯材料被所述护套材料包围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
