[发明专利]具有全包覆线的互连体有效
| 申请号： | 201480046634.9 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105473326B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | M·昌德霍克;俞辉在;C·杰泽斯基;R·V·谢比亚姆;C·T·卡弗 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B32B3/30 | 分类号： | B32B3/30;B32B15/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包括全包覆互连体的金属化层和一种形成全包覆互连体的方法。开口形成在电介质层中，其中，所述电介质层具有表面，并且所述开口包括壁和底部。扩散阻挡层和粘合层沉积在所述电介质层上。互连材料沉积在所述电介质层上并且回流到所述开口中，形成互连体。粘合帽盖层和扩散阻挡帽盖层沉积在所述互连体之上。所述互连体被所述粘合层和所述粘合帽盖层环绕，并且所述粘合层和所述粘合帽盖层被所述扩散阻挡层和所述扩散阻挡帽盖层环绕。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 全包覆线 互连 | ||
【主权项】：
一种形成全包覆互连体的方法，包括：在电介质层中形成开口，其中，所述电介质层具有表面，并且所述开口包括壁和底部；在所述电介质层的表面、所述壁、以及所述底部上沉积第一扩散阻挡层；在所述第一扩散阻挡层上沉积第一粘合层；在所述第一粘合层的底部沉积第二扩散阻挡层；在所述第二扩散阻挡层的底部沉积第二粘合层；在所述第一粘合层和所述第二粘合层上沉积互连材料；使所述互连材料回流到所述开口中，在所述开口中形成互连体，其中，所述互连体凹陷在所述电介质层的表面下方；在所述互连体之上沉积粘合帽盖层；以及在所述粘合帽盖层之上沉积扩散阻挡帽盖层，其中，所述互连体被所述第一粘合层、所述第二粘合层、所述第一扩散阻挡层、所述第二扩散阻挡层、所述粘合帽盖层环绕以及所述扩散阻挡帽盖层环绕。
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