[发明专利]隧道场效应晶体管、其制造方法以及开关元件有效
| 申请号： | 201480045198.3 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105874574B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 福井孝志;富冈克广 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11327 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜虎;陈英俊<国际申请>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种隧道场效应晶体管(TFET)，其构成为，在呈p型的IV族半导体基板的(111)面上配置有III‑V族化合物半导体纳米线，并适当地配置有各个电极，即源电极、漏电极以及栅电极，或者构成为，在呈n型的IV族半导体基板的(111)面上配置有III‑V族化合物半导体纳米线，并适当地配置有各个电极，即源电极、漏电极以及栅电极。该纳米线由第一区域以及第二区域构成。例如，第一区域通过p型掺杂剂被间歇性地掺杂，第二区域通过n型掺杂剂被掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 场效应 晶体管 制造 方法 以及 开关 元件 | ||
【主权项】：
1.一种隧道场效应晶体管的制造方法，包括：/nIII-V族化合物半导体纳米线生长步骤，从IV族半导体基板中的呈第一导电型的部分的(111)面上，生长III-V族化合物半导体纳米线，其中，所述第一导电型为n型及p型中的任意一种；/n栅电极形成步骤，形成栅电极，该栅电极用于产生作用于所述IV族半导体基板与所述III-V族化合物半导体纳米线的界面的、用来对源电极及漏电极间的载流子的流动进行控制的电场；/n源电极及漏电极中的任意一个的形成步骤，以不与所述III-V族化合物半导体纳米线接触的方式，在所述IV族半导体基板上形成所述源电极及所述漏电极中的任意一个；以及/n源电极及漏电极中的另一个的形成步骤，在所述III-V族化合物半导体纳米线上形成所述源电极及所述漏电极中的另一个，/n其特征在于，所述III-V族化合物半导体纳米线生长步骤包括：/n第一区域形成步骤，在所述(111)面上，一边通过供给III族原料以及V族原料而在所述(111)面上生长所述III-V族化合物半导体纳米线，一边通过间歇性地供给第一导电型掺杂剂及第二导电型掺杂剂中的一种或者两种，而形成掺杂有所述第一导电型掺杂剂及所述第二导电型掺杂剂中的一种或者两种的第一区域，所述第一导电型掺杂剂用于使III-V族化合物半导体呈所述第一导电型，所述第二导电型掺杂剂用于使III-V族化合物半导体呈第二导电型，其中，所述第二导电型为n型及p型中的另一种；以及/n第二区域形成步骤，进一步向形成在所述(111)面上的所述第一区域供给所述V族原料以及所述III族原料，形成与所述第一区域相连的、呈所述第二导电型的第二区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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