[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法有效
申请号: | 201480045003.5 | 申请日: | 2014-08-05 |
公开(公告)号: | CN105453296B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 蒂洛·罗伊施;丹尼尔·斯特芬·塞茨;冈特·施密德;尼纳·里格尔;托马斯·多贝廷 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种光电子器件(100),包括至少一个具有有源区域的有机功能层(30),所述有源区域发射电磁辐射;和耦合输出元件(50),所述耦合输出元件设置在所发射的电磁辐射的射束路径中,其中耦合输出元件(50)包括基体材料(52)和至少一个设置在其中的分离相或者多个分离相(51),所述分离相与所述基体材料(52)不同,其中分离相(51)的折射率小于基体材料(52)的折射率,并且其中通过基体材料(52)中的分离相(51)在耦合输出元件(50)中产生电磁辐射的散射。 | ||
搜索关键词: | 光电子 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电子器件,包括:‑至少一个具有有源区域的有机功能层,所述有源区域发射电磁辐射,‑耦合输出元件,所述耦合输出元件设置在所发射的电磁辐射的射束路径中,‑其中所述耦合输出元件包括基体材料和至少一个设置在其中的分离相或者多个分离相,所述分离相与所述基体材料不同,‑其中所述分离相的折射率小于所述基体材料的折射率,并且‑其中通过所述基体材料中的所述分离相在所述耦合输出元件中产生所述电磁辐射的散射,‑其中所述基体材料包括嵌段共聚物,‑其中所述嵌段共聚物包括至少一个第一嵌段,所述第一嵌段具有第一单体单元的至少一个热不稳定的基团,由所述基团能够在所述基体材料中产生至少一个分离相,‑其中所述嵌段共聚物包括至少一个第二嵌段,其中所述第二嵌段具有第二单体单元的至少一个反应性的能交联的基团,并且‑其中所述耦合输出元件的折射率大于或等于1.65。
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