[发明专利]成膜装置以及成膜方法有效
| 申请号： | 201480043229.1 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105555995B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 尾崎悟;徳嵩佑 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019 | 代理人： | 寿宁,张华辉 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜装置以及成膜方法。此成膜装置具备包含电极部21及靶材料22的溅镀电极23。作为直流电源41，使用能够以相对于靶材料22的表面积成为每平方厘米25瓦特以上的施加电力的方式对溅镀电极23施加直流电压。腔室10经由开闭阀39而与涡轮分子泵37连接。作为该涡轮分子泵37，使用最大排气速度为每秒300公升以上。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种成膜装置，其对树脂制造的工件执行利用溅镀的成膜，其特征在于包括：腔室，收纳工件；减压单元，将上述腔室内减压至0.1帕斯卡以上且小于1.0帕斯卡的压力；惰性气体供给部，对上述腔室内供给惰性气体；溅镀电极，包括靶材料，且配设于上述腔室内；直流电源，以相对于上述靶材料的表面积成为每平方厘米25瓦特以上的施加电力的方式，对上述溅镀电极施加直流电压；化学蒸气沉积电极，配设于上述腔室内；高频电源，对上述化学蒸气沉积电极施加高频电压；原料气体供给部，对上述腔室内供给原料气体；以及挡板，可在借由与上述溅镀电极抵接而覆盖上述靶材料的抵接位置、与离开上述溅镀电极的退避位置之间移动。
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