[发明专利]用于使用耗尽光束形成亚微米特征结构的反应物的光子活化有效
申请号: | 201480042522.6 | 申请日: | 2014-07-25 |
公开(公告)号: | CN105453231B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·弗朗西斯·麦克;斯蒂芬·莫法特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30;H05K3/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 精细特征结构的形成方法和装置在小于STED耗尽激光光束的直径或横截面的区域中提供光子诱发的沉积、蚀刻及基于热或光子的处理。至少两个STED耗尽光束被导引到基板上的反应位置,其中形成面积小于光束的激发部分的光束重叠区域。被引导到反应区域的反应物被两个光束的激发部分的组合能量激发,但未在所述光束的两个激发部分的重叠区域外部被激发。使反应物只在所述重叠区域中出现。所述重叠区域可以小于20nm宽,并且宽度小于1nm,以能够以小的面积形成基板特征结构或在基板中进行改变。 | ||
搜索关键词: | 用于 使用 耗尽 光束 形成 微米 特征 结构 反应物 光子 活化 | ||
【主权项】:
1.一种供应反应物活化能量到亚微米区域的方法,包含以下步骤:提供第一光子能量光束,所述第一光子能量光束具有非耗尽中心区域、周围的耗尽区域和40纳米的全宽;提供第二光子能量光束,所述第二光子能量光束具有非耗尽中心区域、周围的耗尽区域和40纳米的全宽;和定位所述第一光子能量光束的所述非耗尽中心区域和所述第二光子能量光束的所述非耗尽中心区域,以在第一重叠区域中重叠,其中所述第一重叠区域的面积小于所述第一光子能量光束的所述非耗尽中心区域或所述第二光子能量光束的所述非耗尽中心区域的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造