[发明专利]用于LDO调节器的慢启动有效

专利信息
申请号: 201480042283.4 申请日: 2014-07-24
公开(公告)号: CN105408829B 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: V·F·佩鲁索 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G05F1/575 分类号: G05F1/575
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 用于为线性调节器的传输晶体管生成控制电压以在启动阶段期间避免突入电流的技术。在一方面,提供将经调节的输出电压的函数与例如斜坡电压的参考电压比较的数字比较器以生成数字输出电压。提供数字输出电压以控制多个开关选择性地将传输晶体管的栅极耦合到例如偏置电压或地电压的多个离散电压电平以使传输晶体管接通或关断。在另一方面,可以在调节器的启动阶段期间选择性地使能数字技术并且在调节器的正常操作阶段期间禁用该数字技术。
搜索关键词: 用于 ldo 调节器 启动
【主权项】:
1.一种设备,包括:传输晶体管,耦合到栅极控制电压,其中所述栅极控制电压被选择性地耦合到离散电压;以及启动电路装置,配置成生成所述离散电压,所述启动电路装置包括比较器,其中所述比较器的第一输入被耦合到参考电压,并且所述比较器的第二输入被耦合到与负载电压成比例的电压,所述负载电压耦合到所述传输晶体管;所述启动电路装置被进一步配置成在启动阶段生成所述离散电压,并且所述传输晶体管被配置成在所述启动阶段响应于所述离散电压将所述负载电压从初始电压递增到目标电压,其中所述传输晶体管包括PMOS晶体管和NMOS晶体管中的一个晶体管,所述传输晶体管的栅极耦合到:第一开关,所述第一开关耦合到所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管中的所述一个晶体管的源极,以及第二开关,所述第二开关耦合到参考偏置电压。
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