[发明专利]用于LDO调节器的慢启动

权利要求书

1.一种设备，包括：

传输晶体管，耦合到栅极控制电压，其中所述栅极控制电压被选择性地耦合到离散电压；以及

启动电路装置，配置成生成所述离散电压，所述启动电路装置包括比较器，其中所述比较器的第一输入被耦合到参考电压，并且所述比较器的第二输入被耦合到与负载电压成比例的电压，所述负载电压耦合到所述传输晶体管；

所述启动电路装置被进一步配置成在启动阶段生成所述离散电压，并且所述传输晶体管被配置成在所述启动阶段响应于所述离散电压将所述负载电压从初始电压递增到目标电压，

其中所述传输晶体管包括PMOS晶体管和NMOS晶体管中的一个晶体管，所述传输晶体管的栅极耦合到：

第一开关，所述第一开关耦合到所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管中的所述一个晶体管的源极，以及

第二开关，所述第二开关耦合到参考偏置电压。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述离散电压被配置成输出不超过两个电压电平，所述两个电压电平包括低电压和高电压。

3.根据权利要求1所述的设备，其中当所述栅极控制电压未被耦合到所述离散电压时，所述栅极控制电压进一步地被选择性地耦合到模拟驱动电压，所述设备进一步包括线性调节器电路装置以生成所述模拟驱动电压。

4.根据权利要求1所述的设备，所述启动电路装置包括将所述比较器的输出耦合到所述栅极控制电压的延迟元件。

5.根据权利要求4所述的设备，所述延迟元件包括缓冲器。

6.根据权利要求1所述的设备，所述传输晶体管包括所述PMOS晶体管。

7.根据权利要求6所述的设备，所述参考偏置电压包括支持参考电流的参考PMOS晶体管的栅极电压。

8.根据权利要求1所述的设备，所述传输晶体管包括所述NMOS晶体管。

9.根据权利要求8所述的设备，所述参考偏置电压包括支持参考电流的参考NMOS晶体管的栅极电压，其中所述参考NMOS晶体管的源极被耦合到所述传输晶体管的源极。

10.根据权利要求3所述的设备，进一步包括配置成确定何时选择所述离散电压或者所述模拟驱动电压的电路装置。

11.一种设备，包括：

用于将传输晶体管的栅极控制电压选择性地耦合到离散电压的装置，所述传输晶体管包括PMOS晶体管和NMOS晶体管中的一个晶体管，所述传输晶体管的栅极耦合到第一开关和第二开关，所述第一开关耦合到所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管中的所述一个晶体管的源极，以及所述第二开关耦合到参考偏置电压；以及

用于在启动阶段通过将参考电压和与耦合到所述传输晶体管的负载电压成比例的电压比较生成所述离散电压的装置，所述传输晶体管被配置为在所述启动阶段响应于所述离散电压将所述负载电压从初始电压递增到目标电压。

12.根据权利要求11所述的设备，用于生成所述离散电压的所述装置进一步包括：

当所述参考电压大于所述成比例的电压时，用于将第一开关耦合到第一电平的装置；以及

当所述参考电压不大于所述成比例的电压时，用于将第二开关耦合到第二电平的装置。

13.根据权利要求11所述的设备，进一步包括当所述栅极控制电压未被耦合到所述离散电压时，用于选择性地将所述栅极控制电压耦合到模拟控制电压的装置。

14.根据权利要求13所述的设备，进一步包括用于响应检测所述负载电压超过阈值电平而在所述离散电压和所述模拟控制电压之间切换的装置。