[发明专利]MOS双极器件有效
| 申请号： | 201480042128.2 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN105706241B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 桑卡拉·麦达塞尔 | 申请（专利权）人： | 生态半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/66 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王艳波;张颖玲 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种集群绝缘栅双极晶体管(CIGBT)，包括漂移区(24)、形成于n型漂移区内的P阱区(20)、形成于P阱区(20)内的N阱区(22)、形成于N阱区(22)内的P基极区(32)以及阴极区(36)。一个或多个沟槽(40)形成在器件内，并且被配置成与漂移区(24)和可选的P阱区(20)纵向相交，以及与基极区(32)、N阱区(22)和P阱区(20)横向相交。在沟槽(4)的内表面上形成有绝缘膜，并且在绝缘膜上形成由栅极氧化物，以基本上填充沟槽并且形成栅极。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种包括单元集群的半导体器件，其中，至少一部分所述单元包括：第一导电类型的基极区，在所述基极区中设置有第一导电类型和第二导电类型的至少一个阴极区，所述至少一个阴极区通过导电触点连接在一起，使得所述单元为可操作的，并且其中其余单元的至少一部分包括第一导电类型的基极区域，并且不包括阴极区域，因此其余的阴极区域被配置成不可操作的，并被指定为虚设单元；第二导电类型的第一阱区；第一导电类型的第二阱区；第二导电类型的漂移区；第一导电类型的阳极区；以及阳极触点；/n其中，每个单元都被设置于所述第一阱区内，而所述第一阱区被设置于所述第二阱区内；/n其中，所述器件包括细长的沟槽，所述细长的沟槽与所述第二阱区和所述漂移区纵向相交，并且与所述基极区、所述第一阱区和所述第二阱区横向相交，所述沟槽延伸穿过所述第二阱区的部分或整个厚度；/n其中，绝缘膜被设置成基本上覆盖所述沟槽的内表面，并且其中，第一栅极形成在所述绝缘膜上以基本上填充所述沟槽；并且/n其中，所述器件被配置成使得在所述器件的运行期间，位于所述基极区与所述第一阱区之间的接合处的耗尽区能够延伸至所述第一阱区和所述第二阱区之间的接合处，其中所述阳极电势增大直至达到预定阈值的电势，从而使所述第一阱区的电势与高于预定阈值的所述阳极触点的电势的增加无关。/n
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