[发明专利]导电膜形成用组合物和导电膜的制造方法有效
| 申请号： | 201480037398.4 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105358640B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 津山博昭;渡边徹;早田佑一 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | C09D201/00 | 分类号： | C09D201/00;C09D1/00;C09D5/24;C09D7/63;H01B1/00;H01B1/22;H01B13/00;H05K1/09;H05K3/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;张志楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种能够形成导电性优异且空洞少的导电膜的导电膜形成用组合物以及使用该组合物的导电膜的制造方法。本发明的导电膜形成用组合物含有平均粒径为1nm～10μm的铜颗粒、平均粒径为1nm～500nm的氧化铜颗粒、具有羟基的还原剂、含有铜以外的金属的金属催化剂和溶剂，所述氧化铜颗粒的含量相对于所述铜颗粒的含量为50质量％～300质量％，所述还原剂的含量相对于所述氧化铜颗粒的含量为100摩尔％～800摩尔％，所述金属催化剂的含量相对于所述氧化铜颗粒的含量为10质量％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铜颗粒 导电膜形成 导电膜 金属催化剂 平均粒径 还原剂 铜颗粒 导电性 溶剂 羟基 制造 空洞 金属 | ||
【主权项】：
1.一种导电膜形成用组合物，其含有平均粒径为1nm～10μm的铜颗粒、平均粒径为1nm～500nm的氧化铜(II)颗粒、具有羟基的还原剂、含有铜以外的金属的金属催化剂和溶剂，所述氧化铜颗粒的含量相对于所述铜颗粒的含量为50质量％～300质量％，所述还原剂的含量相对于所述氧化铜颗粒的含量为100摩尔％～800摩尔％，所述金属催化剂的含量相对于所述氧化铜颗粒的含量为10质量％以下，在此，所述平均粒径是指平均一次粒径，是通过透射型电子显微镜观察，测定至少50个以上颗粒的粒径，对它们进行算术平均而求出的平均粒径，其中，该粒径为直径。
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