[发明专利]利用覆盖构件制造石墨烯的方法和制造包含该石墨烯的电子元件的方法有效
| 申请号： | 201480036704.2 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN105377753B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 赵吉元;奉晓琎 | 申请（专利权）人： | 纳米基盘柔软电子素子研究团;浦项工科大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;C23C16/06;B01J23/755 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 董世豪;张淑珍 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的一个实施方式提供了石墨烯及其制备方法。本发明的制造石墨烯的方法包括如下步骤：(a)在基底上形成金属催化层；(b)向步骤a的金属催化层上引入覆盖构件；以及(c)通过进行化学气相沉积，使石墨烯在步骤b的金属催化层上生长。因此，由于覆盖构件的作用，通过促进金属催化分子在化学气相沉积装置中的聚集并防止金属催化剂的蒸发，能够改进合成的石墨烯的品质(例如透明度)，从而降低金属催化剂表面上的微尺度晶粒边界的尺寸。进而，在化学气相沉积装置的有限空间中合成并有效地大量制造在多种浓度的碳源气体中生长的石墨烯片层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 覆盖 构件 制造 石墨 方法 包含 电子元件 | ||
【主权项】：
1.一种制造石墨烯的方法，所述方法包括：步骤a，在基底上形成金属催化层；步骤b，向步骤a的所述金属催化层上提供覆盖构件；以及步骤c，通过进行化学气相沉积，使石墨烯在步骤b的所述金属催化层上生长，其中，所述覆盖构件为基底，所述基底包括选自于由无机材料、金属以及它们的氧化物所组成的组中的至少一种。
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