[发明专利]用于低辐射涂层的钛镍铌合金阻挡层在审

专利信息
申请号: 201480028165.8 申请日: 2014-03-12
公开(公告)号: CN105431392A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: G·丁;B·博伊斯;J·成;M·伊姆兰;J·劳;M·H·乐;D·施瓦格特;Z-W·孙;Y·王;Y·许;G·张 申请(专利权)人: 分子间公司;葛迪恩实业公司
主分类号: C03C17/36 分类号: C03C17/36;B32B9/00
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 陈英俊
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于形成低辐射涂层的方法,包括:控制薄导电银层上所形成的阻挡层的成分。该阻挡层结构包含钛、镍、铌的三元合金,与二元合金阻挡层相比,整个性能被提高。其中,钛的重量百分比可以是5-15wt%,镍的重量百分比可以是30-50wt%,铌的重量百分比可以是40-60wt%。
搜索关键词: 用于 辐射 涂层 钛镍铌 合金 阻挡
【主权项】:
一种用于形成低辐射涂层的方法,包括:提供透明基板;在所述透明基板上形成第一层,其中,所述第一层含有银,其中,所述第一层被用作为红外反射层;在所述第一层上形成第二层,其中,所述第二层被用作为阻挡层,其中,所述第二层包含钛、镍、铌,其中,所述钛的重量百分比为5-15wt%,其中,所述镍的重量百分比为30-50wt%,其中,所述铌的重量百分比为40-60wt%。
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