[发明专利]离子阱装置和制造该离子阱装置的方法有效
| 申请号： | 201480026893.5 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN105308716B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 赵东日;金兑炫;尹钟建;崔炳斗;洪锡俊;李珉栽 | 申请（专利权）人： | SK电信有限公司;首尔大学产学协力团 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42;H01J49/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 吕俊刚,刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种离子阱装置包括基板，至少一个中心DC电极、RF电极和至少一个侧电极被设置在基板上方。中心DC电极包括DC连接器焊盘和连接至该DC连接器焊盘的DC轨。RF电极包括与DC轨相邻设置的至少一个RF轨以及连接至所述至少一个RF轨的RF焊盘。RF电极被设置在中心DC电极和侧电极之间。中心DC电极、RF电极和侧电极当中的至少一对电极具有彼此面对的圆角。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种离子阱装置，该离子阱装置包括：基板；至少一个中心DC电极，所述至少一个中心DC电极被设置在所述基板上方并且包括：DC连接器焊盘，和连接至所述DC连接器焊盘的DC轨；RF电极，所述RF电极被设置在所述基板上方并且包括：与所述DC轨相邻地设置的至少一个RF轨，和连接至所述至少一个RF轨的RF焊盘；以及至少一个侧电极，所述至少一个侧电极被设置在所述基板上方，其中，所述RF电极被设置在所述中心DC电极和所述侧电极之间，并且所述中心DC电极、所述RF电极和所述侧电极当中的至少一对电极具有彼此面对的圆角。
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