[发明专利]离子阱装置和制造该离子阱装置的方法

权利要求书

1.一种离子阱装置，该离子阱装置包括：

至少一个中心DC电极，所述至少一个中心DC电极包括：

设置在半导体基板上的DC连接器焊盘，和

连接至所述DC连接器焊盘的DC轨；

RF电极，所述RF电极包括：

靠近所述DC轨设置的至少一个RF轨，和

连接至所述至少一个RF轨的RF焊盘；以及

至少一个侧电极，所述至少一个侧电极包括：

关于所述RF电极与所述中心DC电极相对设置的至少一个侧电极焊盘，

其中，所述电极当中的至少一对电极具有彼此面对的圆角。

2.根据权利要求1所述的离子阱装置，其中，所述中心DC电极包括具有第一DC轨的第一中心DC电极和具有第二DC轨的第二中心DC电极，其中，所述第一DC轨和所述第二DC轨彼此分隔开以在它们之间形成阱区域，并且

其中，所述半导体基板在与所述阱区域对应的区域处被穿孔。

3.根据权利要求2所述的离子阱装置，其中，所述RF电极具有在面对所述阱区域的内表面处的圆角。

4.根据权利要求1所述的离子阱装置，其中，所述至少一个侧电极包括沿所述RF电极的长度方向以预定间隔设置的多个侧电极。

5.根据权利要求1所述的离子阱装置，该离子阱装置还包括设置在所述至少一个中心DC电极、所述RF电极和所述至少一个侧电极与所述半导体基板之间的绝缘体，

其中，所述至少一个中心DC电极、所述RF电极和所述至少一个侧电极中的每一个的宽度比设置在它们下面的所述绝缘体的宽度大。

6.一种制造离子阱装置的方法，该方法包括以下步骤：

制备半导体基板；

在所述半导体基板上沉积绝缘体；和

在所述半导体基板上沉积导电膜，以形成包括RF电极、中心DC电极和侧电极的电极图案，

其中，所述电极图案的形成涉及使用具有与所述RF电极、所述中心DC电极和所述侧电极对应的形状的掩膜，

其中，所述掩膜具有圆角，使得所述RF电极、所述中心DC电极和所述侧电极中的每一个具有与所述掩膜的圆角对应的圆角。