[发明专利]集成的硅和III-N半导体器件

摘要

集成的硅和III‑N半导体器件可以通过在具有第一取向的第一硅衬底(100)上生长III‑N半导体材料(102)来形成。具有不同的第二取向的第二硅衬底(106)具有在硅器件膜(110)与载体晶片(112)之间的释放层(108)。硅器件膜(110)附接到III‑N半导体材料，同时硅器件膜(110)通过释放层(108)连接到载体晶片(112)。载体晶片(112)随后被从硅器件膜(110)上去除。第一多个组件被形成在硅器件膜之中和/或之上。第二多个组件被形成在暴露区域中的III‑N半导体材料之中和/或之上。在替代的工艺中，可以在集成的硅和III‑N半导体器件中的硅器件膜与III‑N半导体材料之间设置介电夹层。

主权项

1.一种形成集成的硅和III‑N半导体器件的方法，其包括：提供具有第一晶体取向的硅的第一衬底；在所述第一衬底的顶表面上形成III‑N半导体材料的层堆叠；在所述III‑N半导体材料的层堆叠中在所述第一衬底上形成隔离区；提供具有不同于所述第一晶体取向的第二晶体取向的硅的第二衬底；将裂解的核素注入到所述第二衬底以在所述第二衬底中形成分离层，所述分离层将硅器件膜与所述第二衬底的载体部分分开；随后将所述硅器件膜键合到所述III‑N半导体材料的层堆叠，使得所述载体部分通过所述分离层保持附接到所述硅器件膜；在键合之后，加热所述第二衬底以在所述分离层处将所述载体部分与所述硅器件膜分开，使得所述第一衬底保持附接到所述III‑N半导体材料的层堆叠；去除所述硅器件膜的一部分，以便暴露出所述III‑N半导体材料的层堆叠的一些区域；在所述III‑N半导体材料的层堆叠中的所述隔离区上方的所述硅器件膜之中和/或之上形成第一多个组件；以及在所述III‑N半导体材料的层堆叠之中和/或之上形成第二多个组件。