[发明专利]制造有机场效应晶体管的方法和有机场效应晶体管

摘要

本公开内容涉及制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：在基底上设置栅电极(1)和分配给栅电极(1)的用于电绝缘的栅绝缘体(2)，在所述栅绝缘体(2)上沉积第一有机半导体层(3)，生成第一电极(4)和分配给第一电极(4)的用于电绝缘的电极绝缘体(5)，在第一有机半导体层(3)和电极绝缘体(5)上沉积第二有机半导体层(6)，以及生成第二电极(7)，其中所述方法还包括以下步骤中的至少一个：在生成第一电极(4)和电极绝缘体(5)之前在第一有机半导体层(3)上生成第一掺杂材料层(13)使得电极绝缘体(5)与第一电极(4)至少部分地生成在第一掺杂材料层(13)上，并且在生成第二电极(7)之前在第二有机半导体层(6)上生成第二掺杂材料层(14)使得第二电极(7)至少部分地生成在第二掺杂材料层(14)上。此外，提供了一种有机场效应晶体管。

主权项

1.一种制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括如下步骤：‑在基底上设置栅电极(1)和分配给所述栅电极(1)的用于电绝缘的栅绝缘体(2)，‑将第一有机半导体层(3)沉积在所述栅绝缘体(2)上，其中所述第一有机半导体层包含第一有机半导体层材料，‑生成第一电极(4)和在所述第一电极(4)上的用于电绝缘的电极绝缘体(5)，其中所述第一电极和所述电极绝缘体依次进行处理，之后通过使用光刻胶的光刻方法进行图案化，其中所述光刻胶包含氟基光刻胶，‑将第二有机半导体层(6)沉积在所述第一有机半导体层(3)和所述电极绝缘体(5)上，其中所述第二有机半导体层包含第二有机半导体层材料，‑生成第二电极(7)，其中所述方法还包括以下步骤：‑在生成所述第一电极(4)和所述电极绝缘体(5)之前在所述第一有机半导体层(3)上生成第一掺杂材料层(13)，使得所述电极绝缘体(5)与所述第一电极(4)至少部分地生成在所述第一掺杂材料层(13)上，其中所述第一掺杂材料层包含第一掺杂材料，所述第一掺杂材料是电掺杂剂，其中所述第一掺杂材料是有机小分子，以及‑任选地，在生成所述第二电极(7)之前在所述第二有机半导体层(6)上生成第二掺杂材料层(14)，使得所述第二电极(7)至少部分地生成在所述第二掺杂材料层(14)上，其中所述第二掺杂材料层包含第二掺杂材料，所述第二掺杂材料是电掺杂剂，其中所述第二掺杂材料是有机小分子。