[发明专利]硅晶圆的研磨方法及磊晶晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201480021816.0 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN105144350B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 佐藤英树 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，其对硅晶圆实施镜面研磨工序，在所述镜面研磨工序中，对所述硅晶圆进行粗研磨，然后，对于硅晶圆的表面，通过利用臭氧气体或臭氧水的氧化处理以及通过利用氢氟酸蒸气或氢氟酸水溶液的氧化膜去除处理，进行去除附着在硅晶圆的表面上的金属杂质的处理，再进行完工研磨。由此，提供一种硅晶圆的研磨方法及磊晶晶圆的制造方法，其能够防止因镜面研磨工序在硅晶圆上产生抛光导入缺陷，且能够防止镜面研磨工序后的硅晶圆或在后续工序中层叠有磊晶层的磊晶晶圆的表面质量劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 研磨 方法 磊晶晶圆 制造 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶圆的研磨方法，其是对硅晶圆实施镜面研磨工序的研磨方法，其特征在于，在所述镜面研磨工序中，对所述硅晶圆进行粗研磨，然后，对于硅晶圆的整个表面，通过利用臭氧水的氧化处理以及通过利用氢氟酸蒸气或氢氟酸水溶液的氧化膜去除处理，进行去除附着在硅晶圆的表面上的金属杂质的处理，再进行完工研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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