[发明专利]用于提供加热的蚀刻溶液的系统

摘要

提供了一种用于对用于在处理室中处理晶片的蚀刻溶液进行独立的温度和水合控制的方法和处理系统。所述方法包括：使蚀刻溶液在循环回路中循环；通过从蚀刻溶液中除去水或添加水来使蚀刻溶液保持在水合设定点；使蚀刻溶液保持在低于蚀刻溶液在循环回路中的沸点的温度设定点；以及将蚀刻溶液分配到处理室中以处理晶片。在一个实施方案中，所述分配包括：将蚀刻溶液分配到处理室中靠近晶片的处理区中；将蒸汽引入从处理室中的晶片移除的外部区；以及用蚀刻溶液和蒸汽处理晶片。

主权项

1.一种为用来在一个或更多个处理室中处理晶片的加热的蚀刻溶液提供独立的温度和水合控制的方法，所述方法包括：使所述加热的蚀刻溶液在包括所述一个或更多个处理室以及第一循环回路的第一循环路径中循环，其中所述加热的蚀刻溶液从所述第一循环回路分配至所述处理室中，所述加热的蚀刻溶液包括磷酸水溶液，其中所述加热的蚀刻溶液的压力随着所述加热的蚀刻溶液在所述第一循环路径中循环而变化，以及其中所述加热的蚀刻溶液的水合度和温度被独立地知晓和控制；使用水合传感器，所述水合传感器提供指示所述加热的蚀刻溶液的水合度的信号；独立于控制所述加热的蚀刻溶液的温度，利用所述水合传感器的输出来通过向所述加热的蚀刻溶液添加水将所述加热的蚀刻溶液的水合度控制在水合设定点，其中水的添加基于所述水合传感器的输出以及所期望的水合设定点；测量所述加热的蚀刻溶液的温度；独立于控制所述水合度，使用所测量的温度来将所述蚀刻溶液控制在所期望的温度设定点；以及将所述蚀刻溶液分配到所述处理室中来处理所述晶片。