[发明专利]用于提供加热的蚀刻溶液的系统

权利要求书

1.一种为用来在一个或更多个处理室中处理晶片的加热的蚀刻溶液提供独立的温度和水合控制的方法，所述方法包括：

使所述加热的蚀刻溶液在包括所述一个或更多个处理室以及第一循环回路的第一循环路径中循环，其中所述加热的蚀刻溶液从所述第一循环回路分配至所述处理室中，所述加热的蚀刻溶液包括磷酸水溶液，其中所述加热的蚀刻溶液的压力随着所述加热的蚀刻溶液在所述第一循环路径中循环而变化，以及其中所述加热的蚀刻溶液的水合度和温度被独立地知晓和控制；

使用水合传感器，所述水合传感器提供指示所述加热的蚀刻溶液的水合度的信号；

独立于控制所述加热的蚀刻溶液的温度，利用所述水合传感器的输出来通过向所述加热的蚀刻溶液添加水将所述加热的蚀刻溶液的水合度控制在水合设定点，其中水的添加基于所述水合传感器的输出以及所期望的水合设定点；

测量所述加热的蚀刻溶液的温度；

独立于控制所述水合度，使用所测量的温度来将所述蚀刻溶液控制在所期望的温度设定点；以及

将所述蚀刻溶液分配到所述处理室中来处理所述晶片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中当从所述晶片上方的喷嘴或喷射杆分配所述加热的蚀刻溶液时，所述加热的蚀刻溶液处于低于其沸点的温度下以消除所述加热的蚀刻溶液在所述第一循环回路中、在所述晶片上、以及在所述喷嘴或喷射杆内的沸腾。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括将蒸汽一起分配到所述处理室中，以在所述蒸汽存在的情况下用所述加热的蚀刻溶液处理所述晶片，其中所述蒸汽和所述加热的蚀刻溶液的分配包括：

将所述蚀刻溶液分配到所述处理室中靠近所述晶片的处理区中；

将蒸汽引入到所述处理室中离开所述晶片的外部区中；以及

用所述蚀刻溶液和所述蒸汽处理所述晶片。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述加热的蚀刻溶液控制在选择为提供所期望的蚀刻均匀性的水合度的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热的蚀刻溶液在所述第一循环回路中的压力在约30psi与约10psi之间，以及其中所述加热的蚀刻溶液的压力在所述处理室中为大致大气压。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使另外的蚀刻溶液在与所述第一循环回路流体连通的第二循环回路中循环；以及

将所述另外的蚀刻溶液从所述第二循环回路引入到所述第一循环回路中。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述另外的加热的蚀刻溶液的水含量比所述第一循环回路中的所述加热的蚀刻溶液的水含量低。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述另外的加热的蚀刻溶液保持在比所述第一循环回路中的所述加热的蚀刻溶液的温度高的温度下。