[发明专利]用于制造复合结构的方法有效
申请号: | 201480018752.9 | 申请日: | 2014-03-21 |
公开(公告)号: | CN105074895A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | S·凯尔迪勒;G·夏巴纳;F·波德特 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | H01L21/62 | 分类号: | H01L21/62 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及用于制造复合结构的方法,所述方法包括下列步骤:a)提供施主衬底(50)和支撑衬底(10);b)形成介电层(30);c)形成覆盖层(20);d)在施主衬底(50)中形成弱化区(60);e)通过接触表面(70)结合支撑衬底(10)和施主衬底(50),该接触表面具有轮廓线(Cs);f)使施主衬底(50)通过弱化区(60)破裂,步骤b)和步骤e)执行为使得轮廓线(Cz)内接于轮廓线(Cs)内,并且步骤c)执行为使得覆盖层(20)覆盖介电层(30)的外周表面。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 复合 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造复合结构的方法,该复合结构从其背面至其正面包括支撑衬底(10)、覆盖层(20)、至少一个介电层(30)以及有用层(40),所述方法包括下列步骤:a)提供施主衬底(50)和支撑衬底(10);b)至少形成介电层(30),所述介电层(30)包括:‑第一表面,其与施主衬底接触,‑第二表面,其与第一表面相对,‑外周表面,其将第一表面和第二表面连接在一起;介电层(30)具有轮廓线(Cz);c)形成覆盖层(20),其设置为覆盖介电层(30)的第二表面;d)在施主衬底(50)中形成弱化区(60),弱化区(60)界定了有用层(40),有用层(40)与介电层(30)的第一表面接触;e)组合支撑衬底(10)和施主衬底(50),使得支撑衬底(10)和覆盖层(20)沿接触表面(70)接触,接触表面(70)具有轮廓线(Cs);f)使施主衬底(50)沿弱化区(60)断裂;所述方法的特征在于,步骤b)和步骤e)执行为使得介电层(30)的轮廓线(Cz)处于接触表面(70)的轮廓线(Cs)内,并且步骤c)执行为使得覆盖层(20)覆盖介电层(30)的外周表面。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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