[发明专利]用于测量微结构的非对称性的方法和设备、位置测量方法、位置测量设备、光刻设备和器件制造方法有效
申请号: | 201480016885.2 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN105143986B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | S·G·J·玛斯吉森 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种光刻设备,包括对准传感器,所述对准传感器包括用于读取包括周期性结构的标记的位置的自参考干涉仪。照射光学系统将不同颜色和偏振的辐射聚焦在扫描所述结构的光斑(406)处。多个依赖于位置的信号IA(G,R,N,F)、IB(G,R,N,F)在检测光学系统中被检测(430A、430B),并且被处理(PU)以获得多个候选的位置测量值。每个标记包括具有小于光学系统的分辨率的尺寸的子结构。每个标记形成有子结构和更大的结构之间的位置偏移,其中所述位置偏移是已知(d1、d2)的和未知(Δd)的组成部分的组合。使用来自一对标记(702‑1、702‑2)的信号以及关于已知的偏移之间的差的信息计算至少一个标记的测量位置,以便对所述位置偏移的所述未知的组成部分进行修正。 | ||
搜索关键词: | 用于 测量 微结构 对称性 方法 设备 位置 测量方法 光刻 器件 制造 | ||
【主权项】:
一种使用光学系统测量衬底上的标记的位置的方法,每个标记包括沿至少第一方向周期性地设置的结构,所述结构中的至少一些结构包括更小的子结构,每个标记形成有结构和子结构之间的位置偏移,其中所述位置偏移是已知的和未知的组成部分的组合,所述方法包括:(a)用辐射照射每个标记,并且使用一个或多个检测器检测由所述结构衍射的辐射,以获得包含关于标记的位置的信息的信号;(b)处理所述信号以计算至少一个标记的测量位置,所述计算使用来自多个标记的信号以及关于所述标记的已知的偏移之间的差的信息,以便对所述位置偏移的所述未知的组成部分进行修正。
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