[发明专利]在集成电路中形成栅栏导体有效
| 申请号： | 201480014820.4 | 申请日： | 2014-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN105051883B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 保罗·菲思特 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 间隔物蚀刻工艺在多个半导体裸片中产生超窄导电线。所述导电线的次光刻图案化与现有铝及铜后端处理兼容。将第一电介质(212)沉积到所述半导体裸片上且在其中形成沟槽。将导电膜(218)沉积到所述第一电介质及沟槽表面上。从所述半导体裸片的面及所述沟槽的底部移除所有平面导电膜，从而仅留下在沟槽壁上的导电膜(218)，借此由其形成“栅栏导体”。此后用绝缘材料(212a)填充所述沟槽壁上的所述导电膜之间的间隙。此后移除经绝缘间隙填充物的顶部部分以暴露所述栅栏导体的顶部。在适当位置处移除所述栅栏导体的部分及周围绝缘材料以产生包括经隔离栅栏导体的所要导体图案。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 形成 栅栏 导体 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体集成电路裸片中形成栅栏导体的方法，所述方法包括以下步骤：将第一电介质沉积在半导体衬底的一面上；在所述第一电介质中形成至少一个沟槽；将导电膜沉积在所述第一电介质上，包含沉积在所述至少一个沟槽的壁及底部上；从所述第一电介质的一面及所述至少一个沟槽的所述底部移除所述导电膜的部分，其中所述导电膜仅保留在所述至少一个沟槽的所述壁上；将第二电介质沉积在所述至少一个沟槽的所述壁上的所述导电膜之间；及移除所述第二电介质的一部分以暴露所述至少一个沟槽的所述壁上的所述导电膜的顶部部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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